Flash Memory Summit: SK Hynix entwickelt 321-Layer-TLC-NAND

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Flash Memory Summit: SK Hynix entwickelt 321-Layer-TLC-NAND SKhynix FMS2023

Auch Leistungsprognosen macht SK Hynix heute keine. Doch sollte die neue Generation auch beim Lesezugriff und den Schreibraten deutliche Verbesserungen gegenüber dem 238-Layer-NAND mitbringen. Das NAND-Interface überträgt bis zu 2,4 Gbit/s.

Das nachfolgende Diagramm veranschaulicht, wo SK Hynix mit der grob prognostizierten Flächendichte im aktuellen Wettbewerb liegen würde. Zu Intels 192-Layer-QLC-NAND fehlt aber noch ein Wert.15,111,58,9Kioxia/WD BiCS5 128L Samsung V6 128L UFS 5.0 wird entwickelt Auf dem Flash Memory Summit zeigt SK Hynix außerdem Enterprise-SSDs mit PCIe 5.0 und die neue Generation Embedded-NAND UFS 4.0. Der Start der Entwicklung der jeweiligen Nachfolger wurde ebenfalls angekündigt.

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